介質(zhì)損耗因數(shù)測量
[拼音]：jiezhi sunhao yinshu celiang
[外文]：dielectric loss factor measurement
對反映絕緣材料或電器絕緣介質(zhì)中能量損耗特性因數(shù)的測量。當對絕緣物質(zhì)施加交流電壓時，由于漏電及極化過程，絕緣物質(zhì)中將有有功電流流動，并產(chǎn)生能量損耗。與此同時，絕緣物質(zhì)中還有電容性的無功電流流過。有功電流與無功電流之比即稱為介質(zhì)損耗因數(shù)。它不受絕緣尺寸的影響，是絕緣物質(zhì)本身的特性參數(shù)。
測量介質(zhì)損耗因數(shù)最常用的儀器是西林電橋。西林電橋用于在交流電壓下測量絕緣材料或電器設(shè)備的電容值和介質(zhì)損耗因數(shù)值。西林電橋的基本回路如圖所示，其中Z1(被試品)和C0(無損耗標準電容)是高壓臂；R3(可調(diào)無感電阻)、R4(無感電阻)和C4（可調(diào)電容）是低壓臂。高壓臂是一些互相獨立的部件，它們所能承受的電壓決定了電橋的工作電壓。低壓臂組裝在一起，調(diào)節(jié)R3及C4值可使電橋平衡。
電橋平衡時，由
可分別求得待測電容量C及介質(zhì)損耗因數(shù)tgδ，其中ω為電源角頻率。
電橋在高電壓下工作時，要正確選擇低壓臂的參數(shù)，使正常情況下低壓臂上的壓降不超過幾伏。低壓臂要并聯(lián)一放電管，以防止高壓臂擊穿或閃絡(luò)而在B或C點出現(xiàn)高電位。
當被試品電容量較大時，流過R3的電流將很大，R3旁要并聯(lián)分流電阻。當被試品的一端無法對地絕緣時，可采用反接線。要注意此時橋體（低壓臂）處于高電位，應(yīng)在絕緣臺上的屏蔽籠內(nèi)等電位操作或用絕緣件操作。
為減小電磁干擾的影響，可改變電源電壓的相位;也可將指零儀正、反接各測一次，再按有關(guān)公式求出準確的C和tgδ。
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