流注理論
[拼音]:liuzhu lilun
[外文]:stream theory
關(guān)于氣體電擊穿機(jī)理的一種理論。由R.瑞特與J.M.米克于1937年提出。湯森理論奠定了氣體放電的理論基礎(chǔ),但是隨著氣體放電研究的發(fā)展,有些現(xiàn)象只由湯森理論難以解釋,例如放電發(fā)展的速度比碰撞電離快,放電通道是不均勻的而呈折線形狀,因此需要尋求其他理論。流注理論就是在總結(jié)這些實驗現(xiàn)象的基礎(chǔ)上形成的。
應(yīng)用流注理論描述放電過程見圖。
在外施電場作用下,電子崩由陰極向陽極發(fā)展,由于氣體原子(或分子)的激勵、電離、復(fù)合等過程產(chǎn)生光電離,在電子崩附近由光電子引起新的子電子崩(圖a),電子崩接近陽極時,電離最強(qiáng),光輻射也強(qiáng)(圖b)。光電子產(chǎn)生的子電子崩匯集到由陽極生長的放電通道,并幫助它的發(fā)展,形成由陽極向陰極前進(jìn)的流注(正流注),流注的速度比碰撞電離快(圖c、d)。同時,光輻射是指向各個方向的,光電子產(chǎn)生的地點也是隨機(jī)的,這說明放電通道可能是曲折進(jìn)行的。正流注達(dá)到陰極時(圖e),正負(fù)電極之間形成一導(dǎo)電的通道,可以通過大的電流,使間隙擊穿。如果所加電壓超過臨界擊穿電壓(過電壓),電子崩電離加強(qiáng),雖然電子崩還沒有發(fā)展到陽極附近,但在間隙中部就可能產(chǎn)生許多光電子及子電子崩,它們匯集到主電子崩,加速放電的發(fā)展,增加放電通道的電導(dǎo)率,形成由陰極發(fā)展的流注(負(fù)流注)。瑞特和米克認(rèn)為,當(dāng)電子崩頭部的電場比外加電壓在間隙中形成的均勻電場更強(qiáng)時,電子崩附近電場嚴(yán)重畸變,電離劇烈,放電可以自行發(fā)展成流注,從而導(dǎo)致間隙擊穿。根據(jù)這一基本思想,他們進(jìn)行了理論推演。雖然他們計算電子崩頭部電場的方法不盡相同,推導(dǎo)出不同的計算擊穿電壓的方程,但是計算得到的擊穿電壓很相近,與試驗比較相符。
20世紀(jì)60年代后期,納秒照相技術(shù)發(fā)展,使對放電通道的研究有了更深入的發(fā)展,發(fā)現(xiàn)電子崩進(jìn)行到一定距離之后,放電通道分別向陽極和陰極發(fā)展,其速度比電子崩快。
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